Sahel 87
Jun-17-2008, 07:29
پروژه اروپا برای توسعه ترانزیستورهای قدرت پیشرفته
محققینی که بر روی پروژه ی روباسپیک تحت حمایت اتحادیه ی اروپا کار می کنند خبر از توسعه ی مدل های رفتاری دقیقی می دهند که به شرکت های نیمه هادی برای طراحی ترانزیستورهای قدرت کارآمدتر کمک خواهد کرد.
طبق گفته ی گروه تحقیق، صنعت با ناتوانی قطعات DMOS (double-diffused metal oxide semiconductor) و LIGBT (lateral-insulated gate bipolar transistor) تحت شرایط مختلفی از قبیل دما، ولتاژ بالا و سوئیچ سریع روبرو بوده است. این موجب شده بود که تولید کنندگان نیمه هادی در طراحی های خود متحمل خسارت شوند همچون هزینه ی بی مورد، اتلاف بیهوده ی مواد و مصرف غیر ضروری انرژی.
ادگارد لائز، مسئول هماهنگی گروه پروژه ی روباسپیک، گفت: "طراحی و تولید مدارات هوشمند قدرت با بازدهی و اطمینان بالا، یکی از مهمترین روش های استراتژیک برای کاهش شدید تلفات انرژی در سیستم های قدرت با استفاده از تضمین تبدیل انرژی مطلوب در تمامی مواقع می باشد. این کار در راستای سیاست های کلی اتحادیه ی اروپا در استفاده از انرژی های پاک، کاهش آلودگی و بطور کلی ساماندهی یک محیط دوستانه قرار دارد."
DMOS و LIGBT مد نظر قرار گرفتند چون از ملزومات مدارات قدرت مجتمع هوشمند هستند که بطور فزاینده برای کاهش مصرف انرژی در مصرف کننده ها، بازارهای صنعتی و اتوماسیون استفاده می شوند. به نظر می رسد که این مدل ها به تولید کنندگان این امکان را خواهد داد که قابلیت اطمینان ترانزیستورهای قدرت را بهتر شبیه سازی کنند که به افزایش عمر کار و اطمینان این مدارات کمک می کند.
در برنامه ی ساختاری ششم اتحادیه ی اروپا مبلغ 2.6 میلیون برای پروژه ی روباسپیک اختصاص یافت که مبلغ 2.23 میلیون آن توسط شرکت های عضو تامین شد. از جمله ی این شرکت ها می توان به AMI Semiconductor، Bosch، Cambridge Semiconductor، Cadence Design System، EPFL و دانشگاه کمبریج اشاره کرد.
(electronews)
محققینی که بر روی پروژه ی روباسپیک تحت حمایت اتحادیه ی اروپا کار می کنند خبر از توسعه ی مدل های رفتاری دقیقی می دهند که به شرکت های نیمه هادی برای طراحی ترانزیستورهای قدرت کارآمدتر کمک خواهد کرد.
طبق گفته ی گروه تحقیق، صنعت با ناتوانی قطعات DMOS (double-diffused metal oxide semiconductor) و LIGBT (lateral-insulated gate bipolar transistor) تحت شرایط مختلفی از قبیل دما، ولتاژ بالا و سوئیچ سریع روبرو بوده است. این موجب شده بود که تولید کنندگان نیمه هادی در طراحی های خود متحمل خسارت شوند همچون هزینه ی بی مورد، اتلاف بیهوده ی مواد و مصرف غیر ضروری انرژی.
ادگارد لائز، مسئول هماهنگی گروه پروژه ی روباسپیک، گفت: "طراحی و تولید مدارات هوشمند قدرت با بازدهی و اطمینان بالا، یکی از مهمترین روش های استراتژیک برای کاهش شدید تلفات انرژی در سیستم های قدرت با استفاده از تضمین تبدیل انرژی مطلوب در تمامی مواقع می باشد. این کار در راستای سیاست های کلی اتحادیه ی اروپا در استفاده از انرژی های پاک، کاهش آلودگی و بطور کلی ساماندهی یک محیط دوستانه قرار دارد."
DMOS و LIGBT مد نظر قرار گرفتند چون از ملزومات مدارات قدرت مجتمع هوشمند هستند که بطور فزاینده برای کاهش مصرف انرژی در مصرف کننده ها، بازارهای صنعتی و اتوماسیون استفاده می شوند. به نظر می رسد که این مدل ها به تولید کنندگان این امکان را خواهد داد که قابلیت اطمینان ترانزیستورهای قدرت را بهتر شبیه سازی کنند که به افزایش عمر کار و اطمینان این مدارات کمک می کند.
در برنامه ی ساختاری ششم اتحادیه ی اروپا مبلغ 2.6 میلیون برای پروژه ی روباسپیک اختصاص یافت که مبلغ 2.23 میلیون آن توسط شرکت های عضو تامین شد. از جمله ی این شرکت ها می توان به AMI Semiconductor، Bosch، Cambridge Semiconductor، Cadence Design System، EPFL و دانشگاه کمبریج اشاره کرد.
(electronews)